SANYO 2SA1016K
SANYO 2SA1016K は三洋が開発した、高耐圧低雑音小信号シリコントランジスタ、PNP型。SANYO 2SC2362K とコンプリペア。
無印版の 2SC2362/2SA1016 が Vceo ≦ 100V なのに対し、Kが付くと Vceo ≦ 120V となる。ライバルは NEC 2SA992。
hFE ランクは、F(160-320)、G(280-560)、H(480-960) の 3ランク。
三洋半導体は親会社の三洋電機がパナソニックに合流する際に部門ごと放出となり、米国の On Semiconductor(オンセミ)が買収した。2011年の買収時点では、現行品で製造されていた。2023年現在は生産終了品になっている。三洋半導体の前工程製造子会社だった三洋半導体製造株式会社(元新潟三洋電子)はオンセミ新潟となったあと、2022年にスピンアウトして JSファンダリとなった。本品種を含めて、オンセミ新潟で製造していた品種は廃品種となったが、JSファンダリの IP として継承されていれば、再生産される可能性がある。2023年からサンケン電子が JSファンダリ内でパワー半導体を製造する。
Onsemi の廃品種については、Rochester Electronics(米国)という会社が保守用として在庫している。一部品種についてはメーカからダイで仕入れており、オーダーごとにパッケイジングして製造、販売している。いわゆるセカンドソース品とは違い、オリジナルのダイを使うので性能などの点で遜色はない。1品目1オーダー$250～ で少量でも受けている。2023年現在、2SA1016KG-AA なら単価$0.12/個(@2,200)。
本品種はセカンドソース品が無いので、代替品は Onsemi KSA992 などになる。
三洋/Onsemi 2SA1016K。Vceo ≦ 120V、Ic ≦ 50mA、Pc ≦ 400mW
三洋/Onsemi 2SA1016K
三洋/Onsemi 2SA1016K
三洋/Onsemi 2SA1016K
三洋/Onsemi 2SA1016K-F。マーキングは A1016 / KF7L。TO-92サイズ
TO-92形状。hFE が低い、Fランク(160-320)。
三洋/Onsemi 2SA1016K-F。Ic-hFE特性
同一ロット品からサンプルを 5個、適当に抽出して hFE を測定したもの。Ic = 1.0mAの際の数値で、222.6、228.2、225.4、222.8、222.6 とまったくバラつきなし。測定条件は Vce = 6.0V。
以下の特性は、hFE : 222.6 の個体を計測。
三洋/Onsemi 2SA1016K-F。Vce-Ic特性
Vce-Ic特性。データシートに記載されたものと同じく、能動領域では Vce依存が少なく、横一直線に伸びている。Ic間も一定で、Ib依存が少ない。測定条件は Vcc = 12.0V。
アーリー電圧(VA) は約91V。
三洋/Onsemi 2SA1016K-F。Vce-Ic特性(飽和領域)
飽和領域のVce-Ic特性。Vceo ≦ 120V という高耐圧の品種のため、能動領域は Vce ≧ 1.5V くらいからといった感じで、低電圧領域では右肩上がりになる。コンプリペアの 2SC2362K より低電圧領域の特性が素直に見える。
三洋/Onsemi 2SA1016K-F。Vbe-Ic特性
サンプル5個(hFE測定と同じ個体)の Vbe-Ic特性。測定条件は Vce = 6.0V。
(続く)
