NEC 2SC1845 は NEC(現ルネサス)の開発した低雑音小信号シリコントランジスタ。エピタキシャル構造、NPN型。NEC 2SA992 とコンプリペア。
1981年ころに開発され、Vceo : 120V クラスの横綱。ライバルは TOSHIBA 2SC2240。本品の雑音規定が無いのが、NEC 2SC1841。
現在は廃品種だが、Onsemi KSC1845 など、世界中で様々なセカンドソース品が作られている。
TO-92 形状。hFE は一番大きい、Eランク(400-800)。
同一ロット品から hFE 選別品を 5個、hFE を測定したもの。Ic = 2.0mA付近の数値で、573、581、583、583、582 だが選別済みの組み合わせのなので製造時にはもっとバラついている。測定条件は Vce = 6.0V。
以下の特性は、hFE : 573 の個体を計測。
Vce-Ic特性。低電流、能動領域では Vce依存が少なく、横一直線に伸びている。Ic間も一定で、Ib依存が少ない。測定条件は Vcc = 7.0V。
アーリー電圧(VA) は約99V。
飽和領域のVce-Ic特性。Vceo ≦ 120V と高耐圧の品種ながら能動領域は Vce ≧ 1.3V くらいからといった感じで、低電圧領域でもなで肩にならない。
サンプル5個(hFE測定と同じ個体)の Vbe-Ic特性。測定条件は Vce = 6.0V。
(続く)